Tezzaron називає термін початку серійного випуску пам’яті ReRAM


 
Однією з перспективних технологій незалежної пам’яті є резистивная пам’ять з довільним доступом ( Resistive RAM , ReRAM ) . За прогнозом SanDisk , пам’ять ReRAM прийде на зміну флеш-пам’яті до кінця десятиліття. В цей прогноз цілком укладаються плани компанії Tezzaron Semiconductor , що оголосила вчора про підписання ліцензійної угоди з компанією Rambus . Угода дає Tezzaron можливість використовувати технологію ReRAM , розроблену Rambus , для випуску серійної продукції . Говорячи більш конкретно, Tezzaron отримує доступ до IP- ядер , специфікаціям і тестовим наборам , необхідним для розробки різних чіпів ReRAM . Передбачається, що нові мікросхеми пам’яті Tezzaron знайдуть застосування у військовій, аерокосмічній та інших галузях.
У Tezzaron планують використовувати технологію ReRAM в мікросхемах пам’яті з об’ємною компонуванням , придатних для випуску накопичувачів. Крім того, намічена інтеграція ReRAM в однокристальні системи, FPGA і процесори . Випуск цієї продукції повинен бути освоєний на дочірньому підприємстві Tezzaron , Novati Technologies . Як стверджується, використовуючи ReRAM , виробник розраховує додати « сотні мегабайт пам’яті в логічні схеми , що виготовляються на звичайній фабриці ».
До переваг ReRAM відноситься мале енергоспоживання , висока продуктивність і надійність.
Фахівці Tezzaron вже приступили до розробки перших мікросхем ReRAM . Початок серійного випуску цієї продукції заплановано на 2016 рік. Джерело: Rambus
Rambus

Оставить комментарий

Ваш email не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *

Вы можете использовать это HTMLтеги и атрибуты: <a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <strike> <strong>